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同时，开关这种转移过程中利用了高分子PMMA作为转移介质，开关且转移过程中容易造成石墨烯薄膜的破损和高分子介质的残留，严重影响了石墨烯薄膜的性能和表面平整度，导致器件性能低、易短路、大面积制备困难。将覆盖有转移介质和石墨烯的金属基底放置于金属刻蚀剂中，进入待金属被完全刻蚀后，转移介质和石墨烯复合结构漂浮在刻蚀液的表面上。

6.总结近年来，定制代石墨烯的CVD法制备、物性研究和应用探索均取得了巨大进展。近日，中压北京大学刘忠范院士和彭海琳教授在ChemicalReviews期刊上发表了综述文章BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene。提高Cu表面的平整度的方法有很多，开关如机械、开关化学抛光，高温退火等，也可以通过氧气或三聚氰胺预处理，钝化金属衬底表面的催化活性中心，降低其催化裂解碳源的能力，进而实现对石墨烯成核密度的控制。

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